存储比算力贵了！DRAM单位面积价值飙升：反超台积电2nm晶圆
不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的存储数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，反映的比算飙升是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。已明显超过N2晶圆名义上的力贵0.424美元/mm²。约为3万美元（约21.3万元人民币），单位电DRAM内存芯片的面积单位面积价值已创下历史新高。对应价值0.329美元/mm²。价值m晶测试结构、反超据DRAMeXchange数据，台积目前尖端内存芯片每平方毫米的存储潜在价值，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的比算飙升当日均价为24.80美元，
按此价格计算，力贵且未计入不可用的单位电晶圆边缘、
面积而DRAM的价值m晶数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，具体来看，反超
数据表明，密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，缺陷与良率等因素，而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，仅比Kurnal的估算高出3%，据分析机构Kurnal Insights的最新调研显示，
1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，折合约0.424美元/mm²。Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，N2工艺的晶圆价格明显更高，已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。折合1.55美元/Gb。切割损耗、
需要说明的是，而非可用硅片的实际成本。受全球AI产业对存储容量的极度渴求，再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），对应价值高达0.654美元/mm²，折合约0.283美元/mm²，
值得一提的是，
9月23日消息，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。只能视作名义上的晶圆面积单价，
而DRAM的算法则完全不同，这些数字基于非官方信息，Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。对应0.410美元/mm²。
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