HBM混合键合凉了！三星、SK海力士急刹车：HBM4用不上 HBM5也悬
混合键合的混合键合凉K海无凸点减薄优势不再紧迫。即使到HBM4E阶段，力士
SK海力士则推出iHBM技术，急刹据报道，用不也悬
16层以上高堆叠产品的混合键合凉K海需求并不紧迫，厚度标准松动后，力士以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的急刹挑战。
用不也悬用不也悬然而，混合键合凉K海有助于减小HBM厚度并改善散热。力士称可较现有产品降低超过30%热阻。急刹业内判断，用不也悬即使到HBM5也可能暂不采用。混合键合凉K海无需使用凸点，力士但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是急刹发展方向。
混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，
而HBM3E标准厚度为720微米，
目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，在封装内部加入独立热柱，
散热问题也有了更简单的替代方案。导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，
若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，
7月6日消息，JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，三星开发了HPB热通道模块，将电绝缘、HBM4已放宽至775微米。两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。行业分析师指出，不过混合键合的研发并未停滞。当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。可从堆叠内部带走热量。
混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。短期内混合键合不会大规模部署，两家公司正重新评估采用混合键合的时机，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。12层产品仍极有可能被用作主流产品。
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